錳銅合金電阻在VGA控制電壓電路中A1和A2分別為第一階段和第二階段的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間： 2022-02-17 
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錳銅合金電阻器是一種合金電阻器，在很多電阻器生產(chǎn)制造使用采用了精密錳同合金，在VGA控制電壓電路中A1和A2分別為第一階段和第二階段的增益。第一VGA級的總跨導(dǎo)和總輸出電阻分別記為Gm1和Rout1。與第二個(gè)階段相關(guān)聯(lián)的相同參數(shù)命名為Gm2和Rout2。為了進(jìn)一步簡化Eq.14的小信號分析，忽略了頻率補(bǔ)償塊的影響。其中g(shù)mb1、gmb4、gmb9為晶體管M1、M4、M9的體積跨導(dǎo)，gm5為晶體管M5的跨導(dǎo)，gds1、gds5分別為晶體管M1、M5的輸出跨導(dǎo)。在式15中，認(rèn)為第一級的總跨導(dǎo)隨晶體管M5的跨導(dǎo)而變化，而第二級的跨導(dǎo)是一個(gè)固定的值。
錳銅合金電阻器應(yīng)用在VGA控制電壓電路可以觀察到，VGA的總跨導(dǎo)Gm1可以由跨導(dǎo)gm5控制，這取決于控制電壓CTRL。圖11顯示了總跨導(dǎo)Gm1對系數(shù)C的依賴關(guān)系，系數(shù)C可以在0到1的范圍內(nèi)變化。如果系數(shù)C變?yōu)榱悖琕GA的總跨導(dǎo)將等于−gmb3。在相反的情況下系數(shù)C等于1,Gm1等于gmb1−gmb3。這意味著通過增加跨導(dǎo)gm5，總跨導(dǎo)Gm1降低。此外，總跨導(dǎo)Gm1還取決于gds1 / gm5的比值。將比率的分子、分母分別除以Ids1，
錳銅合金電阻器其中VCTRL為VGA的控制電壓，VTH1、VA1、Vds1分別為晶體管M1的閾值電壓、早期電壓和源漏之間電壓。由式18可以看出，控制總跨導(dǎo)Gm的gds1 / gm5比值取決于所提議的VGA的控制電壓。使用圖10所示的小信號模型，將所提VGA的輸出電阻Rout1和Rout2表示為分別為各自器件的輸出電阻。小信號分析結(jié)果表明，可以通過改變M5器件的跨導(dǎo)來控制第一級增益，該跨導(dǎo)與VGA控制電壓CTRL呈線性關(guān)系。然而，由gmb9、rds9和rds11定義的第二階段的增益完全獨(dú)立于CTRL。
錳銅合金電阻器設(shè)計(jì)電路已知的極點(diǎn)和零點(diǎn)位置以及它們的解析定義對于穩(wěn)定性評估是至關(guān)重要的。電路的小信號模型圖10被再次用于極點(diǎn)零分析。所討論的VGA的兩個(gè)階段的整體小信號模型可以簡化為一個(gè)單一的電壓控制電流源VCCS，其相應(yīng)的輸出電阻分別是Rout1和Rout2虛線和灰盒。小信號電流產(chǎn)生分別表示為VinGm1和Vout1Gm2。此外，采用簡化模型，可以將低頻增益更詳細(xì)地重寫如下
錳銅合金電阻器其中VCTRL為VGA的控制電壓，VTH1、VA1、Vds1分別為晶體管M1的閾值電壓、早期電壓和源漏之間電壓。由式18可以看出，控制總跨導(dǎo)Gm的gds1 / gm5比值取決于所提議的VGA的控制電壓。使用圖10所示的小信號模型，將所提VGA的輸出電阻Rout1和Rout2表示為分別為各自器件的輸出電阻。小信號分析結(jié)果表明，可以通過改變M5器件的跨導(dǎo)來控制第一級增益，該跨導(dǎo)與VGA控制電壓CTRL呈線性關(guān)系。然而，由gmb9、rds9和rds11定義的第二階段的增益完全獨(dú)立于CTRL。
錳銅合金電阻器設(shè)計(jì)電路已知的極點(diǎn)和零點(diǎn)位置以及它們的解析定義對于穩(wěn)定性評估是至關(guān)重要的。電路的小信號模型圖10被再次用于極點(diǎn)零分析。所討論的VGA的兩個(gè)階段的整體小信號模型可以簡化為一個(gè)單一的電壓控制電流源VCCS，其相應(yīng)的輸出電阻分別是Rout1和Rout2虛線和灰盒。小信號電流產(chǎn)生分別表示為VinGm1和Vout1Gm2。此外，采用簡化模型，可以將低頻增益更詳細(xì)地重寫如下
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